 |
|
Реклама на сайте |
|
Липецк.Электросталь. |
|
|
Производство пускатели магнитные в Центральный федеральный округ, перевозки грузовые в Оренбургской области, ОАО "Чувашмебель" МЕБЕЛЬНАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ, ПРОИЗВОДСТВО СТРОИТЕЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ в Южный федеральный округ, ПРОИЗВОДСТВО СТРОИТЕЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ в Новосибирской области, промышленность Дорогобужа, Производство оборудование технологическое для производства ж/б конструкций в Тверской области, Производство продукция молочная, бытовые стационарные плиты в Центральный федеральный округ, реле, Производство чугун по федеральным округам РФ, Производство оборудование для атомных электростанций в Санкт-Петербурге, ПРИБОРОСТРОЕНИЕ Промышленность, предприятия Краснокамска, Псковская область ОАО "Псковский порт", ТРИКОТАЖНАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ в Кирове, ЗАО "Старый пивовар", изделия резинотехнические в Черкесске, Казань предприятия, ПРОИЗВОДСТВО СБОРНЫХ ЖЕЛЕЗОБЕТОННЫХ И БЕТОННЫХ КОНСТРУКЦИЙ И ИЗДЕЛИЙ в Обнинске, ХЛЕБОПЕКАРНАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ Железногорск, промышленность в Нижнем Новгороде, Томская область промышленность, Производство древесина деловая по регионам, ХЛЕБОПЕКАРНАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ предприятия Москвы А знаете ли Вы, что... Из Большой Советской Энциклопедии. Ионное внедрение, ионное легирование, введение посторонних атомов внутрь твёрдого тела путём бомбардировки его поверхности ионами. Средняя глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов (ионы с энергиями ~ 10—100 кэв проникают на глубину 0,01—1 мкм). При бомбардировке монокристаллов глубина проникновения частиц вдоль определённых кристаллографических направлений резко возрастает (см. Каналирование заряженных частиц). При интенсивной бомбардировке на И. в. влияет катодное распыление мишени, а также диффузия внедрённых ионов и их выделение с поверхности. Существует максимально возможная концентрация внедрённых ионов, которая зависит от вида иона и мишени, а также от температуры мишени. И. в. наиболее широко используется при введении примесей в полупроводниковые монокристаллы для создания требуемой примесной электропроводности полупроводника. Следующий за этим отжиг проводится для уничтожения образовавшихся дефектов в кристалл |
|