 |
|||||||||||||||||||||||||||||||
Реклама на сайте |
|||||||||||||||||||||||||||||||
МП "Хлебокомбинат 'Весенний'"ХЛЕБОПЕКАРНАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ |
|||||||||||||||||||||||||||||||
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
|
Производство мебель в Кизляре, препараты лекарственные, мука в Советске, РЫБНАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ предприятия в Астрахани, бутылки стеклянные в Центральный федеральный округ, Производство яйцо в Ханты-Мансийский автономный округ-Югра, ГИДРОЭЛЕКТРОСТАНЦИИ в Саяногорске, круглые материалы в Тульской области, ЛЕГКАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ в Республике Марий Эл, АО "Нальчикский консервный завод", ЛЕСНАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ в Приволжский федеральный округ, МАШИНОСТРОЕНИЕ по городам Российской Федерации, Производство изделия колбасные в Центральный федеральный округ, Северо-Западный федеральный округ промышленность и предприятия, МАШИНОСТРОЕНИЕ Предприятия, предприятия Ивановская область, Производство лифты по федеральным округам РФ, ЗАО "Рязанский завод автоагрегатов АМО ЗИЛ" АВТОМОБИЛЬНАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ, Чита предприятия, СТЕКОЛЬНАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ предприятия в Дятьково, предприятия Медвежьегорск, Московская область предприятия, СУДОСТРОИТЕЛЬНАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ Городец А знаете ли Вы, что... Из Большой Советской Энциклопедии. Фототермомагнитный эффект, электронный термомагнитный эффект, возникновение в однородном полупроводнике, помещенном в магнитное поле Н, при облучении его электромагнитным излучением в перпендикулярном направлении, эдс в третьем перпендикулярном направлении. В результате поглощения излучения носителями тока в полупроводниках изменяется их средняя энергия. Такой «разогрев» носителей неоднороден и порождает поток более горячих носителей в направлении распространения излучения. Т. к. в этом направлении полупроводник электрически разомкнут, то в противоположном направлении появляется компенсирующий поток более холодных носителей. Время их свободного пробега зависит от энергии, поэтому перпендикулярное к этим потокам магнитное поле по-разному отклоняет горячие и холодные носители, что приводит к появлению эдс. В отличие от Нернста – Эттингсхаузена эффекта и фотомагнитоэлектрического эффекта, Ф. э. возникает независимо от наличия градиента температуры кристаллической ре |
|||||||||||||||||||||||||||||||